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序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
1 | 低温无定形碳薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
2 | 高温无定形碳厚膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
3 | 低温无定形碳厚膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
4 | 前端介质防反射层薄膜化学气相沉积设备 | 4 | 详见文件 | |
5 | 高温介质防反射层薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
6 | 氮氧堆叠化学沉积设备 | 3 | 详见文件 | |
7 | 低温双重曝光介质层氧化硅原子层化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
8 | 低温钨阻隔介质氧化硅原子层化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
9 | 高温 (略) 度氧化硅原子层化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
10 | 前端 (略) 度等离子体介电薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
11 | 后端 (略) 度等离子体介电薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
12 | 前端等离子体增强方式氮化硅薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
13 | 后端等离子体增强方式氮化硅薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
14 | 前端介质防反射层薄膜化学气相沉积设备 | 4 | 详见文件 | |
15 | 后端介质防反射层薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
16 | 热反应式深沟槽填孔薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
17 | 等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
18 | 前端等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅厚膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
19 | 前端等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 | |
20 | 后端等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 详见文件 |
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